PD100Oz-L4S2原子层沉积系统

MNT-PD100Oz原子层沉积系统主要部件有1套ICP等离子体原子层沉积设备主机、1套双腔反应腔、1套臭氧发生器，仪器主要参数有：

●设备本底真空为0.67 Pa，设备漏率≤5.0×10^-10 Pa·m³/s

●4英寸晶圆上沉积氧化铝薄膜膜厚均匀性≤±1%

●可制备的材料：Al₂O₃, HfO₂等各类金属氧化物和氮化物薄膜，以及镍铜等部分金属薄膜

●反应腔采用内外双层加热器设计，PID控温，样品台加热温度为室温至500 ℃，控制精度±1 ℃

●样品台4英寸（Φ100 mm），高度≥10 mm，可以生长4英寸及以下尺寸样品

●配备6路金属前驱体源输送管路，源瓶最高加热温度250 ℃，精度±1 ℃

●臭氧发生器产量10 g/h，浓度不低于80 g/m，臭氧流量可控(0~200 sccm)

●采用电感耦合等离子体(ICP)发生器，功率0~1000 W可调

ALD-T100H原子层沉积系统

ALD-T100H由是专门为先进集成电路工艺和特殊纳米涂层工艺研制的高温型、快速原子层沉积系统。系统结构紧凑、集成度高，可实现全流程自动化控制，可在平面及三维结构材料上沉积致密纳米薄膜，广泛应用于high-K栅极绝缘层、铁电材料、OLED封装层、太阳能电池钝化层、锂离子电池、光学元件镀膜、MEMS等诸多领域。

●仪器尺寸：1050*750*1100（mm）

●真空度：<3.0×10^-3 Torr

●基片尺寸：4 inch并兼容以下尺寸

●基片加热温度：400 ℃

●样品温度均匀性：±1 ℃

●温度控制精度：±0.1 ℃

●前驱体源数量：6路

●膜厚均匀性：≤±1%

●循环时间：＜4 s/cycle

●颗粒度：0.3 μm以上颗粒增加值<30颗

●沉积材料种类：HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MgO、SnO₂、SiO₂、Pt及其复合薄膜等